低温合成 SmFeAsO1-xFx 的超导转变温度与上临界场
超导电性
2013-03-19 v1 材料科学
摘要
低温合成是一种有望且可能有效提升超导性能的方法。我们报道了在 900 deg C 下合成的多晶 SmFeAsO1-xFx 样品，其标称 F 含量 x 在 0-0.35 的宽范围内变化。该合成温度比常规合成温度低约 300 deg C。不同 F 掺杂样品的晶格参数和转变温度 (Tc) 的变化表明，晶胞体积 (V) 的减小似乎是 Tc 升高至 57.8 K 的主要原因。磁阻测量显示，上临界场斜率 (dHc2/dT) 随 F 浓度增加而增大，直至 x = 0.2 时达到最大值 -8 T/K，对应的相干长度为 10 angstrom。在更高的 F 掺杂水平下，dHc2/dT 和低场 Jc 有所下降；然而在高于 0.5 T 时，Jc 几乎保持相同数值。与先前的报道相比，本工作采用的低温合成路线以及使用常见 FeF2 作为 F 源的方法，能更有效地将 F 引入 SmFeAsO 体系，从而改善该体系的超导性能。此外，这种新的样品制备方法还减少了固态反应过程中 F 的蒸发以及坩埚与超导体之间反应等不必要的问题。
引用
@article{arxiv.1303.4163,
title = {Transition Temperature and Upper Critical Field in SmFeAsO1-xFx Synthesized at Low Heating Temperatures},
author = {S. J. Singh and J. Shimoyama and A. Yamamoto and H. Ogino and K. Kishio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4163},
year = {2013}
}