钝化 GaAs/AlGaAs 核壳纳米线中的残余应变与压电效应
材料科学
2013-05-15 v1 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
我们观察到，随着壳层厚度增加至 100 nm，钝化 GaAs/Al0.35Ga0.65As 核壳纳米线的带边出现系统性红移。该红移在发射和吸收实验中均被检测到，对于最厚壳层的纳米线，其值高达 14 meV。部分红移归因于 AlGaAs 壳层对 GaAs 核施加的微小拉伸应变，这与理论计算一致。导致该红移的另一贡献源于纳米线核内部产生的轴向压电场，这是由壳层中的 Al 组分涨落引起的。
关键词
引用
@article{arxiv.1302.3161,
title = {Residual strain and piezoelectric effects in passivated GaAs/AlGaAs core-shell nanowires},
author = {Moïra Hocevar and Le Thuy Thanh Giang and Rudeesun Songmuang and Martien den Hertog and Lucien Besombes and Joël Bleuse and Yann-Michel Niquet and Nikos T. Pelekanos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3161},
year = {2013}
}