GaAs/AlGaAs核壳纳米线光电探测器
介观与纳米尺度物理
2016-01-20 v1
摘要
我们展示了一种在室温下工作的高效核壳 GaAs/AlGaAs 纳米线光电探测器。该纳米级探测器的设计基于 I 型异质结结合金属-半导体-金属 (MSM) 径向结构，其中半导体异质界面和金属/半导体肖特基接触处的内置电场促进光生电荷分离，增强光敏性。光谱光导响应表明该纳米线在近红外区域支持共振光学模式，这导致与电磁和传输计算模型预测一致的大光电流密度。单纳米线光电探测器显示出 0.57 A/W 的显著峰值光响应度，可与市场上大面积平面 GaAs 光电探测器媲美，并且在 {\lambda}=855 nm 处探测率高达 7.2 10^10 cm\sqrt{Hz}/W。这对于通过控制光学模式限制、带隙、态密度和电极工程来设计新一代高灵敏度单纳米线光电探测器大有前景。
引用
@article{arxiv.1601.02312,
title = {GaAs/AlGaAs Nanowire Photodetector},
author = {X. Dai and S. Zhang and Z. Wang and G. Adamo and H. Liu and Y. Huang and C. Couteau and C. Soci},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.02312},
year = {2016}
}