基于光伏特性的 pin 型 GaAs/AlGaAs 异质结纳米锥阵列太阳能电池优化
光学
2022-08-19 v1 应用物理
仪器与探测器
摘要
本文中,我们通过执行耦合光电模拟来设计和研究径向 GaAs/AlGaAs pin 结纳米锥阵列太阳能电池的性能,以基于其光伏特性获得最优设计构型。每个模型都针对不同的表面钝化水平与其 GaAs 壳层对应物进行了比较。观察到具有 AlGaAs 壳层的纳米锥相比具有 GaAs 壳层的纳米锥性能更好。AlGaAs 壳层充当强势垒,将大部分光生限制在内层 GaAs 区域,并充当强钝化层,减少由表面效应引起的复合损失。此外,观察到纳米锥在稀疏排布、i 壳层厚度恒为 7–9 nm 且倾斜角为 5 度时达到最高光电转换效率。这种增强的性能归因于沿纳米线长度更有效且延伸的光生、强重叠的内建电场以及更低的复合损失。
引用
@article{arxiv.2208.08158,
title = {Optimization of pin GaAs/AlGaAs Heterojunction Nanocone Array Solar Cell based on its Photovoltaic Properties},
author = {Sambuddha Majumder and Sooraj Ravindran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.08158},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 13 figures, 1 table