InAs/InGaAs DWELL太阳电池中边缘复合的抑制
介观与纳米尺度物理
2019-06-05 v1
摘要
采用分子束外延(MBE)生长的InAs/InGaAs DWELL太阳电池是一种标准pin二极管结构，在200 nm本征GaAs区域内嵌入了六层InAs量子点(位于InGaAs量子阱中)。GaAs对照晶圆具有相同的pin结构，但不含DWELL结构。典型的DWELL太阳电池在不同尺寸下表现出更高的短路电流密度，同时保持几乎相同的开路电压，且短路电流密度较高的优势在较小电池中更为明显。相比之下，具有更高周长面积比的较小尺寸电池使边缘复合电流在GaAs对照电池中占主导地位，因此其开路电压和效率严重下降。当尺寸从5×5 mm²缩小到2×2 mm²时，GaAs对照电池在AM1.5G条件下的开路电压和效率分别从0.914 V和8.85%降至0.834 V和7.41%，而DWELL太阳电池则分别从0.665 V和7.04%升至0.675 V和8.17%。
引用
@article{arxiv.1102.2466,
title = {Suppression of Edge Recombination in InAs/InGaAs DWELL Solar Cells},
author = {Tingyi Gu and Mohamed A. El-Emawy and Kai Yang and Andreas Stintz and Luke F. Lester},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.2466},
year = {2019}
}