Si(111) 上 GaAs 纳米线周围 Fe3Si 壳层的刻面生长

通过分子束外延在氧化的 Si(111) 衬底上生长了 GaAs 纳米线和 GaAs/Fe3Si 核/壳纳米线结构，并通过透射电子显微镜进行了表征。原始 GaAs 纳米线的表面完全被磁性 Fe3Si 覆盖，与裸露的 GaAs 纳米线相比，其表现出纳米刻面和增强的表面粗糙度。在衬底温度$T_{S}$ = 200 {\deg}C 下的壳层生长导致了规则的纳米刻面 Fe3Si 壳层。这些导致壳层厚度不均匀的刻面主要由显著突出的 Fe3Si(111) 晶面组成。核与壳的晶体学取向一致，即它们是伪共格的。本工作中发现的纳米刻面 Fe3Si 壳层可能是 Fe3Si 在 GaAs 纳米线{110}侧面上发生 Vollmer-Weber 岛状生长模式的结果。