InAs 垂直排列独立纳米线中 Ga 互扩散增强的直接证据
材料科学
2008-05-14 v2
摘要
我们提供了在 GaAs (111)B 衬底上通过分子束外延在中等温度下生长的 InAs 独立纳米线中 Ga 互扩散增强的直接证据。扫描电子显微镜以及共面和掠入射几何构型下的 X 射线衍射测量表明，名义上生长的 InAs 纳米线实际上由 InGaAs 构成。与典型的气 - 液 - 固生长不同，这些纳米线是由扩散诱导生长结合来自衬底材料的强互扩散形成的。基于实验结果，我们还提出了一个考虑 Ga 互扩散的简单纳米线生长模型。该生长模型可普遍适用于 III-V 族纳米线的分子束异质外延。
引用
@article{arxiv.0803.1951,
title = {Direct evidence of enhanced Ga interdiffusion in InAs vertically aligned free-standing nanowires},
author = {J. C. Gonz'alez and A. Malachias and J. C. de Sousa and R-Ribeiro Andrade and M. V. B. Moreira and A. G. de Oliveira},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.1951},
year = {2008}
}