硅上无位错轴向InAs-on-GaAs纳米线
材料科学
2017-08-17 v2
摘要
我们报道了在硅上通过分子束外延使用20 nm直径金催化剂生长轴向InAs-on-GaAs纳米线异质结构。首先优化GaAs纳米线段生长参数以获得纯纤锌矿晶体结构。然后开发了两步生长工艺以提高垂直InAs-on-GaAs纳米线的产率。通过进一步优化生长参数，实现了90%的笔直InAs-on-GaAs纳米线。利用能量色散X射线光谱研究界面成分变化，通过透射电子显微镜研究纳米线晶体结构。发现InAs段的标称成分为InGaAs，其中，与GaAs的晶格失配度为6%。高分辨率图像的几何相位分析应变映射显示GaAs/InAs界面无位错。总之，我们成功制备了高度失配的异质结构，证实了轴向GaAs/InAs界面在直径小于40 nm的纳米线中为赝晶生长的预测。
引用
@article{arxiv.1704.05631,
title = {Dislocation-free axial InAs-on-GaAs nanowires on silicon},
author = {Daria V. Beznasyuk and Eric Robin and Martien Den Hertog and Julien Claudon and Moïra Hocevar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.05631},
year = {2017}
}