分子束外延在石墨烯上生长无缺陷 SnTe 拓扑晶体绝缘体纳米线
材料科学
2018-12-24 v1
摘要
已在石墨烯/SiC 衬底上通过分子束外延生长出 SnTe 拓扑晶体绝缘体纳米线。该纳米线具有立方岩盐结构，沿 [001] 晶向生长，并具有四个由 {100} 晶面构成的侧壁，已知这些晶面承载具有 Dirac 色散的金属表面态。详尽的高分辨透射电子显微镜研究表明，纳米线在石墨烯上以范德瓦耳斯外延模式生长，该模式由催化 Au 纳米颗粒与来自 SnTe 束流的 Sn 混合形成液态 Au-Sn 合金而诱发。纳米线完全无结构缺陷，但其 {001} 侧壁易于氧化，这指出了在利用涉及占据拓扑保护态载流子的磁电输运现象时沉积保护性覆盖层的必要性。
引用
@article{arxiv.1812.08888,
title = {Defect-free SnTe topological crystalline insulator nanowires grown by molecular beam epitaxy on graphene},
author = {J. Sadowski and P. Dziawa and A. Kaleta and B. Kurowska and A. Reszka and T. Story and S. Kret},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.08888},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 8 figures