外延生长拓扑晶体绝缘体SnTe(111)的ARPES研究
材料科学
2016-10-27 v1
摘要
SnTe是一种典型的拓扑晶体绝缘体，其无带隙表面态受晶体对称性保护。SnTe拓扑性质的特征是投影到具有镜面对称性的表面上的狄拉克锥，这些狄拉克锥源于体布里渊区L点附近的能带反转，可通过角分辨光电子能谱测量。我们在BaF2(111)衬底上通过分子束外延获得了SnTe薄膜的(111)表面。原位角分辨光电子能谱的光子能量依赖性（覆盖垂直于(111)表面方向上的多个布里渊区）展示了投影到表面布里渊区Gamma_bar和M_bar点的狄拉克锥。此外，我们在体布里渊区的Gamma点观察到类似狄拉克锥的能带结构，其狄拉克能量与Gamma_bar和M_bar点的狄拉克能量有显著差异。
引用
@article{arxiv.1610.07759,
title = {ARPES study of the epitaxially grown topological crystalline insulator SnTe(111)},
author = {Yi Zhang and Zhongkai Liu and Bo Zhou and Yeongkwan Kim and Lexian Yang and Hyejin Ryu and Choongyu Hwang and Yulin Chen and Zahid Hussain and Zhi-Xun Shen and Sung-Kwan Mo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.07759},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 4 figures