SnTe (110) 薄膜中由界面态耦合诱导的拓扑相变
材料科学
2018-05-23 v1
摘要
拓扑绝缘相的一个决定性特征是对称性保护的界面狄拉克态。SnTe 是一种代表性的拓扑晶体绝缘体，其 (110) 薄膜具有两个对称性无关的界面态谷。借助界面态的谷对比耦合，我们在 (110) SnTe 薄膜体系中设计了多种二维拓扑相。我们的第一性原理计算表明，两个谷的表面态耦合强度随薄膜厚度独立变化，从而导致二维拓扑晶体绝缘体和量子自旋霍尔绝缘体。最有趣的是，通过构建 SnTe 薄膜的纳米带阵列，纳米带的边缘态耦合可进一步以高可调性诱导上述拓扑相之间的拓扑相变，这为多模式量子输运提供了潜在用于电子和自旋电子器件的途径。
引用
@article{arxiv.1611.03151,
title = {Interfacial-state coupling induced topological phase transitions in SnTe (110) thin film},
author = {Xiao Li and Qian Niu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.03151},
year = {2018}
}
备注
6 Pages, 4 Figures