铅盐半导体拓扑性质的应变工程
材料科学
2013-10-09 v1
摘要
岩盐族硫族化合物 SnTe 代表了拓扑绝缘体的最简单实现，其中晶体对称性允许在高对称性晶体表面上出现具有偶数个 Dirac 锥的拓扑保护金属态。相关的岩盐族铅硫族化合物也被预测在通过合金化和压力诱导能带反转后，会经历向拓扑晶体绝缘体相的相变。在此，我们从理论上预测，如在 (001) 衬底上生长的薄膜中所实现的应变，可能诱导此类拓扑相变。此外，表面态的相关拓扑性质，如表面布里渊区中 Dirac 锥的位置或边缘态的衰减长度，似乎可通过应变进行调控，这对于利用这些额外自由度的技术器件具有潜在意义。
引用
@article{arxiv.1308.1288,
title = {Strain engineering of topological properties in lead-salt semiconductors},
author = {Paolo Barone and Domenico Di Sante and Silvia Picozzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.1288},
year = {2013}
}