拓扑半金属中的表面态与边缘态
介观与纳米尺度物理
2011-04-14 v2
摘要
我们通过6带Kane模型研究了拓扑非平庸的半金属。通过计算材料表面的局域态密度（LDOS），明确证明了表面态的存在。在无应变条件下，表面态在能谱中分为两部分：一部分位于直接带隙中，另一部分（包含表面态狄拉克锥的交叉点）淹没在价带中。我们还展示了单轴应变如何诱导出绝缘带隙，并将交叉点从价带提升至带隙中，使系统成为真正的拓扑绝缘体。我们预测薄膜拓扑半金属中存在螺旋边缘态和自旋霍尔效应，这可以通过未来的实验进行验证。研究发现，无序显著增强了薄膜价带中的自旋霍尔效应。
引用
@article{arxiv.1009.4289,
title = {Surface and Edge States in Topological Semi-metals},
author = {Rui-Lin Chu and Wen-Yu Shan and Jie Lu and Shun-Qing Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4289},
year = {2011}
}