PbSnTe纳米线各向异性生长的理解
材料科学
2024-12-02 v1
摘要
PbSnTe是一种拓扑晶体绝缘体(TCI)，其具有散射自由传输通道和容错量子计算的潜力。由于拓扑非平凡态居于表面，纳米线具有较高的表面积到体积比，因而成为探测这些态的理想平台。虽然已证明利用分子束外延生长控制PbSnTe纳米线，但对其各向异性生长及其导致的形貌缺乏理解。本文基于实验观察，发展了描述纳米线形貌随生长时间演化的模型。发现，由直接冲击、掩模扩散和面facet扩散共同描述的各向异性形貌，可导致从Te受限的生长 regime 向IV族受限的生长 regime 的转变。该生长模型使我们能够设计更精准的实验，从而在器件设计中获得更大的灵活性。
引用
@article{arxiv.2411.19627,
title = {Understanding the anisotropic growth of VS grown PbSnTe nanowires},
author = {Mathijs G. C. Mientjes and Xin Guan and Marcel A. Verheijen and Erik P. A. M. Bakkers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.19627},
year = {2024}
}