拓扑晶体绝缘体 LaSbTe 的层构造
材料科学
2020-05-20 v2
摘要
拓扑晶体绝缘体（TCI）是对称保护拓扑态的一种。任何 TCI 都可以在尊重其晶体对称性的晶格中形变为若干个解耦的二维（2D）拓扑非平庸层的简单乘积态，称为层构造（LC）极限。在这项工作中，基于第一性原理计算，我们揭示了四方 LaSbTe（t-LaSbTe）和正交 LaSbTe（o-LaSbTe）均可解释为各自晶格空间中 2D 拓扑绝缘体的堆叠。由软声子模引起的从 t-LaSbTe 到 o-LaSbTe 的结构相变展示了实空间变化如何导致拓扑态的修正。基于 LC 分析了它们的对称指示符和拓扑不变量。我们提出 LaSbTe 是展示 LC 范式的理想例子，其将实空间中的晶体结构与时动量空间中的能带拓扑联系起来。
引用
@article{arxiv.1911.09362,
title = {Layer Construction of Topological Crystalline Insulator LaSbTe},
author = {Yuting Qian and Zhiyun Tan and Tan Zhang and Jiacheng Gao and Zhijun Wang and Zhong Fang and Chen Fang and Hongming Weng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.09362},
year = {2020}
}