具有应变可调带隙的拓扑晶体绝缘体纳米膜
材料科学
2015-06-08 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
微调拓扑材料中的带隙和能带反转对于开发新型功能器件非常理想。在此，我们提出拓扑晶体绝缘体 (TCI) SnTe 和 PbSn(Se,Te) 的自由站立纳米膜的电子性质可以通过工程弹性应变和控制膜厚度进行高度调控，从而实现可调带隙和巨压电导效应。膜厚度决定了相反表面上拓扑电子态的杂化，而弹性应变可以通过控制表面态的穿透长度进一步调节杂化强度。我们提出了一种利用力集中诱导的非均匀弹性应变、具有空间变化宽度的 TCI 纳米膜制成的频率分辨红外光电探测器。预测的可调带隙伴随着强自旋织构电子态，将为基于 TCI 纳米膜制造压阻器件、热电器件、红外探测器以及节能电子和光电器件开辟新途径。
引用
@article{arxiv.1403.3952,
title = {Topological Crystalline Insulator Nanomembrane with Strain-Tunable Band Gap},
author = {Xiaofeng Qian and Liang Fu and Ju Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3952},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 9 figures