近晶格匹配的GaAs/Pb(1-x)Sn(x)Te核壳纳米线
材料科学
2022-11-16 v1
摘要
我们研究了通过分子束外延在纤锌矿GaAs纳米线（NWs）侧壁上沉积的Pb(1-x)Sn(x)Te拓扑晶体绝缘体全壳层与半壳层。由于IV-VI壳层相对于III-V核的取向不同，沿纳米线轴的晶格失配小于4%。选择Pb(1-x)Sn(x)Te固溶体是因为其在某些临界Sn浓度下（x >= 0.4）具有拓扑晶体绝缘体性质。IV-VI壳层以不同组分生长，涵盖从二元SnTe，经x值递减的Pb(1-x)Sn(x)Te，直至二元PbTe（x = 0）。样品经扫描透射电子显微镜分析，揭示纤锌矿GaAs NWs侧壁上存在(110)或(100)取向的二元PbTe以及(100)取向的Pb(1-x)Sn(x)Te。
引用
@article{arxiv.2211.08154,
title = {Nearly Lattice Matched GaAs/Pb(1-x)Sn(x)Te Core-Shell Nanowires},
author = {Sania Dad and Piotr Dziawa and Wiktoria Zajkowska and Sławomir Kret and Mirosław Kozłowski and Maciej Wójcik and Janusz Sadowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.08154},
year = {2022}
}
备注
24 pages, 5 figures