石墨烯上自辅助 InAs 纳米线的 MBE 生长
材料科学
2016-10-04 v1 化学物理
摘要
报道了通过分子束外延（MBE）在石墨烯上自辅助生长 InAs 纳米线。实现了直径约 50 nm、长径比高达 100 的纳米线。通过将衬底从双层石墨烯经缓冲层改变为准自由站立单层石墨烯，仔细研究了纳米线的形貌和结构特性。确定了 InAs 纳米线与石墨烯衬底的位置关系。部分 InAs 纳米线呈现的 30{\deg} 取向构型被证明与石墨烯衬底的表面波纹有关。 fabricated 了基于 InAs 纳米线的器件用于输运测量，电导测量显示出半弹道行为。在非线性的约瑟夫森结测量中，观察到了多重安德烈夫反射，并推导出约 900 nm 的非弹性散射长度。
引用
@article{arxiv.1610.00430,
title = {MBE growth of self-assisted InAs nanowires on graphene},
author = {Jung-Hyun Kang and Yuval Ronen and Yonatan Cohen and Domenica Convertino and Antonio Rossi and Camilla Coletti and Stefan Heun and Lucia Sorba and Perla Kacman and Hadas Shtrikman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.00430},
year = {2016}
}