聚焦离子束诱导单晶 InAs 纳米线的生长
介观与纳米尺度物理
2015-07-01 v1 材料科学
摘要
我们研究了通过分子束外延（MBE）生长并由聚焦离子束（FIB）植入的 Au 斑点诱导的单晶 InAs 纳米线（NWs）。通过这种独特的方法组合，实现了所生长纳米线长径比高达 300 的增加。为控制纳米线的形貌和晶体结构，我们变化并优化了生长参数，如温度、流量比和注入通量。此外，我们研究了所使用的分子砷物种的影响，特别是 As₂ 与 As₄ 的比例，并加以调整。除了高长径比外，这种优化还实现了具有可忽略堆垛层错数量的单晶 InAs 纳米线的生长。通过 FIB 植入进行单根纳米线的位点控制放置，补充了大面积生长的工作领域。
引用
@article{arxiv.1506.08989,
title = {Focused ion beam induced growth of monocrystalline InAs nanowires},
author = {S. Scholz and R. Schott and P. A. Labud and C. Somsen and D. Reuter and A. Ludwig and A. D. Wieck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.08989},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 7 figures