InAs在纳米柱图形化GaAs(111)A上的异质外延
材料科学
2020-04-22 v1
摘要
纳米图形化衬底上的异质外延是利用衬底柔性和因尺寸减小而增强的弹性晶格弛豫来减少半导体异质界面处缺陷的一种手段。我们在InAs/GaAs(111)A体系中探索了这一可能性，结合纳米球光刻和反应离子刻蚀对GaAs(111)A衬底进行纳米图形化，得到具有蜂窝状和六方排列以及不同最近邻距离的纳米柱。衬底图形化之后，在150–350°C温度和0.011 nm/s与0.11 nm/s生长速率下进行InAs的MBE生长。通过在0.011 nm/s生长速率下选择150°C的低生长温度来降低吸附原子迁移长度，实现了纳米柱顶端以纳米岛形式生长的InAs。选择0.11 nm/s较高生长速率进一步降低了吸附原子迁移长度，导致更高的InAs岛成核以及在纳米柱底部形成集中于柱基的小丘。所有其他所探索条件下生长形貌的一个共同特征是由于柱基处存在作为吸附原子汇的凹表面曲率，形成了具有明确晶面的合并小丘或金字塔。
引用
@article{arxiv.1909.08480,
title = {InAs Heteroepitaxy on Nanopillar-Patterned GaAs (111)A},
author = {V. S. Kunnathully and T. Riedl and A. Trapp and T. Langer and D. Reuter and J. K. N. Lindner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.08480},
year = {2020}
}