硅上无催化剂InAs纳米线的异质成核
介观与纳米尺度物理
2017-01-19 v1 材料科学
摘要
我们报道了通过化学束外延在Si(111)衬底上无催化剂InAs纳米线的异质成核。我们表明，用高能粒子溅射硅衬底可增强纳米线成核。我们认为，粒子轰击在硅表面引入晶格缺陷，这些缺陷作为优先成核位点。这些成核位点的形成可通过溅射参数控制，从而允许在大范围内控制纳米线密度。纳米线成核伴随有害的寄生岛，但通过仔细选择退火和生长温度，可强烈降低这些岛的相对密度，并实现高纳米线产率的样品。
引用
@article{arxiv.1701.05153,
title = {Heterogeneous nucleation of catalyst-free InAs nanowires on silicon},
author = {U. P. Gomes and D. Ercolani and V. Zannier and S. Battiato and E. Ubyivovk and V. Mikhailovskii and Y. Murata and S. Heun and F. Beltram and L. Sorba},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.05153},
year = {2017}
}