极性诱导的GaN纳米线选区外延
应用物理
2024-01-31 v1
摘要
我们提出了一种概念新颖的方法来实现GaN纳米线的选区外延。该方法基于以下事实：在结构和化学性质均匀的阳离子极性衬底上，通过等离子体辅助分子束外延无法形成这些纳米结构。通过在Ga极性GaN薄膜上原位沉积并氮化Si，我们局部反转了极性，从而诱导了N极性GaN纳米线的选区外延。我们表明，通过改变预沉积Si的量，可以将纳米线数密度控制在几个数量级内。利用这种生长方法，我们合成了直径小至20 nm的单晶且未合并的纳米线。实现足够低的纳米线数密度以防止入射通量对纳米线侧壁的遮挡，为无需使用非原位预图案化衬底实现均匀核壳异质结构铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2401.16514,
title = {Polarity-induced selective area epitaxy of GaN nanowires},
author = {Ziani de Souza Schiaber and Gabriele Calabrese and Xiang Kong and Achim Trampert and Bernd Jenichen and José Humberto Dias da Silva and Lutz Geelhaar and Oliver Brandt and Sergio Fernández-Garrido},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.16514},
year = {2024}
}