分子束外延在 GaN 纳米线上顺序定向沉积单侧 (In,Ga)N 壳层
材料科学
2023-10-10 v2 应用物理
摘要
利用分子束外延中原子通量的定向特性，我们提出并演示了在 GaN 纳米线上侧向 (In,Ga)N 壳层的顺序定向沉积。在该方法中，通过相应旋转样品并操作挡板，从同一方向依次沉积每种组成原子（即 Ga、In 和 N）亚单层的厚度。利用该过程的多次迭代，我们在纳米线的单一侧面晶面上实现了均匀壳层的生长。对于较高的 In 含量因而较大的晶格失配，我们观察到纳米线异质结构的应变诱导弯曲。我们系统地研究了 In 的掺入及由此产生的发射光谱随生长温度与 In/Ga 通量比的变化关系。
引用
@article{arxiv.2307.11235,
title = {Sequential directional deposition of one-sided (In,Ga)N shells on GaN nanowires by molecular beam epitaxy},
author = {David van Treeck and Jonas Lähnemann and Guanhui Gao and Sergio Fernández Garrido and Oliver Brandt and Lutz Geelhaar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.11235},
year = {2023}
}