InGaN/GaN线中嵌点纳米结构有序阵列作为单光子发射器
材料科学
2017-06-13 v1
摘要
实现在高温下工作且位于预定位置的可靠单光子发射器，对于量子光应用固态系统的发展仍是一项重大挑战。我们展示了来自包含InGaN纳米盘的GaN纳米线二维有序阵列的单光子发射。这些结构通过分子束外延在(0001) GaN-on-sapphire模板上制备，该模板具有由胶体光刻制备的纳米孔掩模图案。低温阴极荧光测量揭示了单个纳米线异质结构发光的空间分布。源自InGaN区域最顶部的发射覆盖蓝绿光谱范围，并显示出强烈且狭窄的量子点状光致发光谱线。这些谱线表现出92%的平均线偏振比。光子关联测量显示光子反聚束，g(2)(0)值远低于单光子发射的0.5阈值。反聚束率随光激发功率线性增加，在泵浦功率趋于零时外推至~1 ns-1的激子衰减率。该值与时间分辨光致发光测量的激子寿命相当。具有受控空间位置和强线偏振的快速高效单光子发射器是迈向高速片上量子信息管理的重要一步。
引用
@article{arxiv.1706.03599,
title = {Ordered arrays of InGaN/GaN dot-in-a-wire nanostructures as single photon emitters},
author = {Snezana Lazic and Ekaterina Chernysheva and Zarko Gacevic and Noemi Garcia-Lepetit and Herko P. van der Meulen and Marcus Muller and Frank Bertram and Peter Veit and Jürgen Christen and Almudena Torres-Pardo and José M. González Calbet and Enrique Calleja and Jose M. Calleja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.03599},
year = {2017}
}
备注
8 pages