作为单光子发射器的半导体纳米柱及其优化设计
介观与纳米尺度物理
2022-02-02 v1
摘要
我们制备了 InAs/GaAs 中的半导体量子点纳米柱阵列。考虑到量子点密度,将柱直径确定为仅包含少数几个量子点。优化了柱阵列的晶格常数,使得无需任何特定操控即可仅有一个柱与光纤纤芯耦合。这种关于光子源与光学装置的结构考量有助于提高单光子产生的高纯度。为实现光子从光子源的高效提取,我们在柱阵列周围制备了金属腔结构。干法刻蚀与湿法刻蚀的结合实现了功能化设计的三维结构。此类制备工艺朝着实现优化良好的单光子发射器迈进。
引用
@article{arxiv.2111.00275,
title = {Semiconductor Nanopillar as a Single-Photon Emitter and its Optimal Design},
author = {S. Odashima and H. Sasakura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.00275},
year = {2022}
}