可见光谱范围内GaN单光子源的光物理研究
量子物理
2018-04-18 v1 材料科学
光学
摘要
在这项工作中，我们对最近发现的氮化镓（GaN）中光学稳定的单光子发射体（SPEs）进行了详细的光物理分析。温度分辨光致发光测量表明，4 K下的发射线宽比由激发态寿命测量预期的变换极限线宽宽三个数量级。这种展宽归因于超快光谱扩散。在室温（RT）下对多个发射体继续进行光物理研究，测得最大平均亮度约为427 kCounts/s。此外，通过确定经历三能级光学跃迁的发射体的衰减速率，计算了室温下的辐射和非辐射寿命。最后，利用14个发射体的偏振测量确定了GaN晶体中缺陷体系的可见度以及偶极子取向。我们的结果巩固了GaN中SPE在低温和室温下的一些基本特性，并为未来基于GaN的单光子技术工作定义了基准。
引用
@article{arxiv.1708.09161,
title = {Photophysics of GaN single photon sources in the visible spectral range},
author = {Amanuel M. Berhane and Kwang-Yong Jeong and Carlo Bradac and Michael Walsh and Dirk Englund and Milos Toth and Igor Aharonovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.09161},
year = {2018}
}