n 型 GaN 中氢扩散的证据
材料科学
2020-08-04 v4
摘要
由于氢、氧等杂质在光电子学及高功率/高频电子学中无可匹敌的适用性,对其控制是基于氮化物的半导体中的关键问题。因此,有必要持续研究其在半导体材料中的扩散与偏析。本工作中,我们报道了首次观测到氢从体单晶氮化镓中的外扩散。氢扩散程度由二次离子质谱确立。对氨热法生长的 GaN 中特征氢分布的分析,确定了在 1045C——HVPE(卤化物气相外延)法的标准生长温度——下的氢扩散系数。
引用
@article{arxiv.2007.04144,
title = {Evidence of hydrogen diffusion in n-type GaN},
author = {Rafal Jakiela and Adam Barcz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.04144},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 2 figures, regular paper