铍在氮化镓中的扩散：实验与建模
材料科学
2020-01-22 v1
摘要
通过分析来自无限源的随温度变化的扩散分布，研究了铍在氮化镓中的扩散机制。将铍原子注入到通过卤化物气相外延在氨热法氮化镓衬底上结晶的高结构质量氮化镓层中。在 1000{\deg}C 至 1400{\deg}C 之间的不同温度、高氮压下进行了注入后退火。通过二次离子质谱分析了注入后及退火样品中的铍分布。结果表明，该掺杂剂的扩散源于两种机制的组合：快速间隙扩散与缓慢的间隙-替代扩散。确定了两条扩散路径的 preexponential factor（指前因子）以及激活能。此外，根据铍深度分布的特征，计算了镓空位和间隙位置铍的形成能，并与理论值进行了比较。
引用
@article{arxiv.2001.07458,
title = {Diffusion of Be in gallium nitride: Experiment and modelling},
author = {Rafał Jakieła and Kacper Sierakowski and Tomasz Sochacki and Małgorzata Iwińska and Michał Fijalkowski and Adam Barcz and Michał Boćkowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.07458},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 6 figures, 1 table, 4 equations