质子注入硅中氢的扩散：对氢浓度的依赖性

报道的硅中氢扩散常数相差六个数量级。这种测量值的散布是由所研究硅中不同缺陷浓度引起的。氢扩散因与杂质相互作用而减慢。通过改变材料特性如结晶性、掺杂类型和杂质浓度，氢的扩散率可改变数个数量级。本研究考察了氢浓度对高能质子注入硅中扩散温度依赖性的影响。我们表明，描述该温度依赖性的阿伦尼乌斯参数随氢浓度增加而减小。我们提出一个模型，其中介导氢扩散的相关缺陷在高浓度下被氢饱和。当那些为氢提供晶格中最低能量位置的缺陷饱和时，氢驻留在能量上较不利的位置，从而增加了氢穿过晶体的扩散。此外，我们呈现了对氢扩散不同研究的综述。我们观察到那些研究中计算的阿伦尼乌斯参数之间存在相关性，从而导致对硅中氢扩散的阿伦尼乌斯方程的修正。