微结构与生长条件对氮化镓中量子发射体的影响
应用物理
2018-11-30 v1 材料科学
光学
量子物理
摘要
氮化镓(GaN)中的单光子发射体因宿主材料成熟的生长和纳米加工技术，以及其显著的化学稳定性和光电特性，正作为有吸引力的量子系统而受到关注。我们通过系统分析在不同生长条件下制备的多种样品，研究GaN中此类单光子发射体的性质。我们探究GaN中的本征结构缺陷(位错和层错)、掺杂和晶体取向对量子发射体形成的影响。我们研究发射体位置(通过光谱和光致发光测量确定)与穿通位错位置(通过原子力显微镜和阴极荧光表征)之间的关系。我们发现量子发射体与层错或位错不相关；相反，它们更可能源自点缺陷或杂质，其密度受局部扩展缺陷密度调制。
引用
@article{arxiv.1811.11914,
title = {Effects of microstructure and growth conditions on quantum emitters in Gallium Nitride},
author = {Minh Nguyen and Tongtong Zhu and Mehran Kianinia and Fabien Massabuau and Igor Aharonovich and Milos Toth and Rachel Oliver and Carlo Bradac},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.11914},
year = {2018}
}