带电缺陷对自组装量子点电子和光学性质的影响

我们研究了点电荷缺陷对应变In$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As/GaAs和无应变GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As量子点中单粒子电子结构、发射能量、精细结构分裂以及激子跃迁振子强度的影响。我们发现，带电缺陷显著改变了应变和无应变结构中的单粒子电子结构和激子光谱。然而，应变量子点中的激子精细结构分裂、偏振各向异性和偏振方向几乎不受影响，而无应变量子点中则观察到显著变化。