二阶压电效应对应力调谐 InGaAs/GaAs 量子点激子结构的影响
介观与纳米尺度物理
2018-10-11 v4
摘要
我们研究了非线性压电效应和铟（In）分布对集成在压电执行器上的应力可调 InGaAs/GaAs 量子点的激子能量、电子-空穴电偶极矩以及精细结构分裂的影响。特别地，我们详细探讨了电偏振按外诱导弹性应变展开的各项中，不同元素对后两种重要量子点性质的贡献。基于一阶与二阶压电效应影响的比较，我们提供了一个简单关系，用于估计所施加的各向异性应力对与衬底晶体存在显著晶格失配的量子点偶极矩的影响。
引用
@article{arxiv.1805.06825,
title = {Effect of second order piezoelectricity on excitonic structure of stress-tuned InGaAs/GaAs quantum dots},
author = {Petr Klenovský and Petr Steindl and Johannes Aberl and Eugenio Zallo and Rinaldo Trotta and Armando Rastelli and Thomas Fromherz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.06825},
year = {2018}
}