II型InAs/GaAsSb量子点：高度可调的激子几何与拓扑
介观与纳米尺度物理
2015-11-16 v2
摘要
在嵌入具有II型能带排列的 dot-in-a-well InAs/GaAsSb 量子结构的 p-i-n 二极管中，研究了对外加电场下电子与空穴波函数几何及拓扑的外部控制。我们发现了高度可调的激子偶极矩以及很大程度上解耦的激子复合与电离动力学。我们还预测了一个偏压区间，其中空穴波函数拓扑随外偏压连续地从类量子点状变为类量子环状。所有这些性质在先进电光应用与基础自旋轨道现象研究中具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1506.02439,
title = {Type II InAs/GaAsSb Quantum Dots: Highly Tunable Exciton Geometry and Topology},
author = {José M. Llorens and Lukasz Wewior and Edson R. Cardozo de Oliveira and José M. Ulloa and Antonio D. Utrilla and Álvaro Guzmán and Adrián Hierro and Benito Alén},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.02439},
year = {2015}
}
备注
4 pages and 4 figures