II型量子点中的扩展激子和紧凑类氦双激子
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
我们利用磁光致发光测量确定了 InP/GaAs 量子点具有 II 型（交错）能带排列。平均激子玻尔半径和结合能分别估计为 15 nm 和 1.5 meV。与体 InP 相比，由于异质界面处的排斥（II 型）势，激子结合较弱。测量范围扩展到近六个数量级的激光激发功率和高达 50 特斯拉的磁场。结果表明，激发功率可用于调节量子点的平均空穴占据数，从而调节电子-空穴结合的强度。观察到当量子点系综从发射来自（类氢）双粒子激子态的区域逐渐过渡到发射来自（类氦）四粒子双激子态也变得显著的区域时，抗磁位移系数急剧减小。
引用
@article{arxiv.0910.4290,
title = {Extended excitons and compact helium-like biexcitons in type-II quantum dots},
author = {Bhavtosh Bansal and S. Godefroo and M. Hayne and G. Medeiros- Ribeiro and V. V. Moshchalkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4290},
year = {2015}
}