GaAs多型量子点中电子、空穴与激子的理论
介观与纳米尺度物理
2016-04-04 v1
摘要
建立了GaAs晶相量子点的单带和多带（Burt-Foreman）k.p哈密顿量，并用于评估正在进行的实验活动中诸如量子限制、自发极化、价带混合和激子库仑相互作用等因素的作用。发现自发极化是主导项。结合量子点厚度的控制[Vainorious Nano Lett. 15, 2652 (2015)]，它实现了激子波长和寿命的广泛可调性。针对小直径量子点[Loitsch et al. Adv. Mater. 27, 2195 (2015)]预言了若干新现象，包括非重空穴基态、强空穴自旋混合以及II型到I型激子转变，这些可用于改善GaAs多型的吸收强度并降低辐射寿命。
引用
@article{arxiv.1512.03646,
title = {Theory of electrons, holes and excitons in GaAs polytype quantum dots},
author = {Juan I. Climente and Carlos Segarra and Fernando Rajadell and Josep Planelles},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.03646},
year = {2016}
}