无应变GaAs/AlGaAs量子点中的高场磁激子
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
从理论和实验上研究了无应变GaAs/AlGaAs量子点中激子态的磁场依赖性。研究了不同取向磁场中基态和激发态的抗磁位移。在理论研究中，计算是在单带有效质量近似内进行的，包括带非抛物性、完整的实验三维点形状和电子-空穴库仑相互作用。将这些计算与高达50特斯拉的磁场中基态和激发态的实验结果进行了比较。理论与实验之间取得了良好的一致性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605223,
title = {High-field magneto-excitons in unstrained GaAs/AlGaAs quantum dots},
author = {Y. Sidor and B. Partoens and F. M. Peeters and N. Schildermans and M. Hayne and V. V. Moshchalkov and A. Rastelli and O. G. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605223},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 figures. To appear in Physical Review B