肖特基二极管中InP/GaInP单量子点的电荷控制
介观与纳米尺度物理
2016-11-25 v1
摘要
我们展示了通过外加电场对置于金属有机气相外延生长的GaInP肖特基结构中的单个自组装InP量子点电荷态的控制。这得益于生长优化，抑制了不可控积累电荷的大点形成。利用偏压和偏振依赖的微光致发光，我们识别了激子多粒子态，并对中性激子态偶极矩和极化率进行了系统研究。该分析允许对此类量子点进行单点水平的激子波函数特性表征。光电流测量通过电学手段进一步表征激子特性，为此类系统的共振激发研究开辟了新的可能性。
引用
@article{arxiv.1107.2522,
title = {Charge control in InP/GaInP single quantum dots embedded in Schottky diodes},
author = {O. D. D. Couto and J. Puebla and E. A. Chekhovich and I. J. Luxmoore and C. J. Elliott and N. Babazadeh and M. S. Skolnick and A. I. Tartakovskii and A. B. Krysa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.2522},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 4 figures