单个自组装InGaAs量子点中激子-双激子分裂的电学调控
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v2
摘要
我们报道了嵌入横向电场器件中的单个InGaAs量子点。通过施加电压，我们利用量子受限斯塔克效应将中性激子跃迁调谐至与双激子共振。实验结果与激子和双激子相对能量的理论计算结果进行了比较。从单个激子-双激子态流形出发的级联衰变已被预测为一种按需产生纠缠光子对的新概念，无需抑制中性激子的精细结构分裂。
引用
@article{arxiv.1009.1989,
title = {Electrical control of the exciton-biexciton splitting in a single self-assembled InGaAs quantum dots},
author = {M. Kaniber and M. F. Huck and K. Müller and E. C. Clark and F. Troiani and M. Bichler and H. J. Krenner and J. J. Finley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.1989},
year = {2015}
}