InAs/InP自组装量子点光学性质的原子赝势计算
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
我们使用经验赝势方法和组态相互作用处理多粒子效应，对InAs/InP自组装量子点(QDs)的光学性质进行了全面研究。结果与InAs/GaAs量子点进行了比较。主要结果是：(i) InAs/InP量子点中中性激子、带电激子和双激子的发射线排列与InAs/GaAs量子点截然不同。(ii) InAs/InP量子点中的隐藏关联为0.7 - 0.9 meV，小于InAs/GaAs量子点中的值。(iii) InAs/InP量子点中中性激子、带电激子和双激子的辐射寿命约为InAs/GaAs量子点中的两倍。(v) InAs/InP量子点中少数电子和空穴的相图与InAs/GaAs量子点中的相图差异很大。电子和空穴的填充顺序遵循洪德定则和构造原理，因此高带电激子的光致发光光谱与InAs/GaAs量子点的光谱非常不同。
引用
@article{arxiv.1010.2276,
title = {Atomistic pseudopotential calculations of the optical properties of InAs/InP self-assembled quantum dots},
author = {Ming Gong and Weiwei Zhang and Zhuming Han and G. -C. Guo and Lixin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.2276},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 11 figures