自组装 InAs/GaAs 量子点中多激子: 伪势能、多体方法
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
我们采用多体、原子经验伪势能方法，预测了镜状自组装 InAs/GaAs 量子点中多激子发射光谱。讨论了以下影响因素：(i) 直接库仑能，包括电子与空穴波函数差异；(ii) 交换库仑能；(iii) 由配置相互作用计算给出的相关能。讨论了从 N 激子系统基态向 N-1 激子系统的发射，涉及 和 的复合。 presented a comparison with a simpler single-band, effective mass approach.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0003188,
title = {Multi-excitons in self-assembled InAs/GaAs quantum dots: A pseudopotential, many-body approach},
author = {A. J. Williamson and A. Franceschetti and A. Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003188},
year = {2009}
}