自组装 InGaAs/GaAs 量子点中中性与带电Exciton的压力效应

通过结合原子势方法与配置相互作用方法，我们预测了中性和带电Exciton的压力依赖性：$X^0$（中性单Exciton）、$X^-$ 和 $X^{+}$（带电trion）以及 $XX^0$（biexciton）在镜面形状的自组装 In$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As/GaAs 量子点中的结合能。我们预测：(i)在应用压力下，$X^0$ 和 $X^+$ 的结合能增加，而 $X^-$ 的结合能减小，$XX^0$ 的结合能几乎与压力无关。(ii) 关联对 $X^0$ 的结合能影响较小，而对 $X^-$、$X^+$ 和 $XX^0$ 的结合能有显著影响。(iii) 关联对压力依赖性影响较小；因此，结合能的压力依赖性可在 Hartree-Fock 近似下理解，其由直接库仑积分 $J$ 的压力依赖性控制。我们的 (i) 结果结果可通过指出空穴比电子更局域化，从而使库仑能量满足 $J^{(hh)}>J^{(eh)}>J^{(ee)}$ 来解释。