ZnSe 基量子阱中带电激子结合能
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
在 ZnSe 基量子阱结构中研究了激子和带电激子 (trion)，其中的障壁为 (Zn,Be,Mg)Se 和 (Zn,Mg)(S,Se)。通过磁光光谱法进行研究。负电荷 (X-) 和正电荷 (X+) 带电激子的结合能作为量子阱宽度、自由载流子浓度和外部磁场 (最高 47 T) 的函数进行测量。X- 的结合能随量子阱宽度从 190 Å 减小到 29 Å 时，从 1.4 meV 增大到 8.9 meV。X+ 的结合能约为相同结构中 X- 结合能的 75%。X- 和 X+ 的结合能在磁场下的行为定性不同。随着磁场强度的增大，X- 的结合能增加 35-150%，而 X+ 的结合能则减小 25%。测量并讨论了激子和 trion 的泊克分裂和振子强度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112002,
title = {Binding Energy of Charged Excitons in ZnSe-based Quantum Wells},
author = {G. V. Astakhov and D. R. Yakovlev and V. P. Kochereshko and W. Ossau and J. Puls and F. Henneberger and S. A. Crooker and Q. McCulloch and D. Wolverson and N. A. Gippius and W. Faschinger and A. Waag},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112002},
year = {2009}
}