半导体量子阱中 X- 三子结合能的简单估算
强关联电子
2016-08-16 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们提出一个仅含三个变分参数的简单示意波函数，用于计算带负电的激子（X-）的结合能随量子阱宽度的变化。计算结果与 GaAs、CdTe 和 ZnSe 量子阱的实验数据吻合，这些量子阱在激子和三子结合能上差异显著。研究发现，对于任何具有常规参数的量子阱异质结构，归一化的 X- 结合能几乎与电子-空穴质量比无关。其对量子阱宽度的依赖关系遵循一条普适曲线。该曲线由一个简单的唯象方程描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502300,
title = {Simple Estimation of X- Trion Binding Energy in Semiconductor Quantum Wells},
author = {R. A. Sergeev and R. A. Suris and G. V. Astakhov and W. Ossau and D. R. Yakovlev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502300},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 3 Postscript figures