半导体量子井中正电荷磁激子
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
本文采用变分方法计算了受磁场垂直作用时，限制在单个量子井内的正电荷激子（trion）的基态三重态和三重态的能级。我们研究了能级和束缚能随井宽和磁场强度的依赖关系。计算结果与现有实验数据在定性和定量上均表现良好。发现存在一个信号-三重态的能级交叉点，对于宽度为200 Å的GaAs量子井，预计在B=15 T时发生能级交叉。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105192,
title = {Positively charged magneto-excitons in a semiconductor quantum well},
author = {C. Riva and F. M. Peeters and K. Varga},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105192},
year = {2009}
}
备注
5 figs. Submitted to PRB