横向耦合InGaAs量子点中的带电激子和双激子
介观与纳米尺度物理
2010-12-22 v1 材料科学
摘要
我们展示了基于原子经验赝势计算和组态相互作用方法，对激子、正负三子(X±)、正负四子(X2±)和双激子的研究结果。所研究的结构是嵌入GaAs中、在横向电场作用下的横向排列InGaAs量子点分子。激子相对简单的能量学在带电准粒子情形下变得更为复杂，但仍可处理。在目前可用的电场范围内，负三子能谱显示出四个反交叉点，而正三子则显示出两个。反交叉点的幅度揭示了载流子隧穿过程中的多体效应，这些效应在实验上应该是可观测的。
引用
@article{arxiv.1012.4575,
title = {Charged excitons and biexcitons in laterally coupled InGaAs quantum dots},
author = {Jie Peng and Gabriel Bester},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.4575},
year = {2010}
}
备注
9 Pages, 9 Figures, 3 Pages. High quality figures at http://www.fkf.mpg.de/bester/publications.html