InAs/GaAs量子点中激子极化子的证据
材料科学
2016-08-16 v1
摘要
我们利用强磁场下的光致发光激发光谱研究了多个自组装InAs/GaAs量子点集合体中的带间跃迁。在光谱中观察到明确的共振。在所有样品中都观察到两个跃迁之间的强反交叉，这无法用纯激子模型来解释。使用Fr\"{o}hlich哈密顿量计算了混合激子-纵光学声子态之间的耦合。确定了激子极化子能量以及带间跃迁的振子强度。当两个激子-纵光学声子态的能量足够接近且声子占据数相差为1时，预测会出现反交叉。计算结果与实验数据吻合良好，证明了激子极化子的存在。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609506,
title = {Evidence for excitonic polarons in InAs/GaAs quantum dots},
author = {Vanessa Preisler and Thomas Grange and Robson Ferreira and Louis-Anne De Vaulchier and Yves Guldner and Fransisco José Teran and Marek Potemski and Aristide Lemaître},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609506},
year = {2016}
}