点态分子中激子光谱与纠缠工程的理论
材料科学
2012-03-08 v1
摘要
我们报告了双垂直堆叠 InGaAs/GaAs 点对激子的相关势能计算结果。应力、几何形状和带混合的相互作用导致了现代模型中所遗漏的许多意外特征。前四个激子态在小的点间分离处均为光学活性，因为单粒子态的对称性被破坏。我们量化了激子波函数的纠缠程度，并显示其对点间分离的敏感性。我们提出了识别和最大化激子态纠缠的光谱方法。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406725,
title = {Theory of excitonic spectra and entanglement engineering in dot molecules},
author = {Gabriel Bester and J. Shumway and Alex Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406725},
year = {2012}
}
备注
To be published in PRL