液滴外延量子点激子精细结构中的机械诱导伪磁场

我们基于 Luttinger-Kohn 四带$k \cdot p$理论进行了数值研究，并据此建立了一个定量有效的模型，用于描述单轴应力控制下液滴外延 GaAs/AlGaAs 量子点的激子精细结构。在该形式体系中，对光激发量子点施加应力等效于产生一个伪磁场，该磁场直接与激子二重态的伪自旋耦合，且可调节以定制激子的偏振精细结构。后一特征与激子的价带混合有关，这种混合在原本无应变的液滴外延 GaAs/AlGaAs 量子点中对外部应力尤其敏感，使我们能够在光子产生之前通过机械手段设计和制备任意所需的量子点（QD）光子源激子态。