磁场诱导 [111] 方向生长半导体量子点中的价带混合
介观与纳米尺度物理
2015-05-07 v1
摘要
我们提出了关于在 (111)A 衬底上生长的 GaAs 液滴量子点中，磁场诱导重空穴态 +/- 3/2 混合的微观理论。所提出的理论模型考虑了原子力显微镜揭示的具有三角对称性的显著量子点形状。我们的空穴态计算在 Luttinger 哈密顿量形式体系内进行，并补充了对限制势三角性的考量。计算结果与实验观测到的偏振选择定则、发射线强度以及所有测量单量子点中中性及带电激子在纵向和横向磁场下的能级分裂在定量上相符。
引用
@article{arxiv.1211.6854,
title = {Magnetic field induced valence band mixing in [111] grown semiconductor quantum dots},
author = {M. V. Durnev and M. M. Glazov and E. L. Ivchenko and M. Jo and T. Mano and T. Kuroda and K. Sakoda and S. Kunz and G. Sallen and L. Bouet and X. Marie and D. Lagarde and T. Amand and B. Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.6854},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 6 figures