对称半导体量子点中带间跃迁的暗-亮混合
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
在沿生长轴施加纵向磁场的对称[111]生长GaAs/AlGaAs量子点的光致发光光谱中，我们除了观察到预期的亮态外，还观察到带电激子和中性激子的名义暗跃迁。我们揭示了中性亮激子分裂随磁场变化呈现强烈的非单调、变号依赖关系，这源于交换效应与塞曼效应之间的相互作用。我们的理论定量表明，这些令人惊讶的实验结果是由磁场诱导的±3/2重空穴混合引起的，这是具有C_3v点群对称性系统的固有特性。
引用
@article{arxiv.1106.6182,
title = {Dark-bright mixing of interband transitions in symmetric semiconductor quantum dots},
author = {G. Sallen and B. Urbaszek and M. M. Glazov and E. L. Ivchenko and T. Kuroda and T. Mano and S. Kunz and M. Abbarchi and K. Sakoda and D. Lagarde and A. Balocchi and X. Marie and T. Amand},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.6182},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures